Vishay 2 Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 80 V Forbedring, 12 Ben, 3 x 3FS, SIZF4800LDT
- RS-varenummer:
- 280-0005
- Producentens varenummer:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 17.592,00
(ekskl. moms)
Kr. 21.990,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 17. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 5,864 | Kr. 17.592,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 280-0005
- Producentens varenummer:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | SIZF4800LDT | |
| Emballagetype | 3 x 3FS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 12 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie SIZF4800LDT | ||
Emballagetype 3 x 3FS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 12 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en dobbelt N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
Symmetrisk dobbelt n-kanal
Fuldt blyfri (Pb)-enhed