Vishay N-Kanal, MOSFET, 25.5 A 80 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SiJ128LDP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 229,50

(ekskl. moms)

Kr. 286,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 11,475Kr. 229,50
100 - 180Kr. 10,143Kr. 202,86
200 - 480Kr. 9,874Kr. 197,48
500 - 980Kr. 9,623Kr. 192,46
1000 +Kr. 9,388Kr. 187,76

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7217
Producentens varenummer:
SiJ128LDP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

25.5A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

SiJ128LDP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

15.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

22.3W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.14mm

Længde

5.25mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

6.25mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 80 V (D-S) MOSFET har et meget lavt QG og Qoss reducerer effekttab og forbedrer effektiviteten. Den har et meget lavt QG og Qoss reducerer effekttab og forbedrer effektiviteten.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.