Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 25.5 A 80 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, SiJ128LDP Nej SiJ128LDP-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 111,90

(ekskl. moms)

Kr. 139,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 16. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 5,595Kr. 111,90
100 - 180Kr. 4,941Kr. 98,82
200 - 480Kr. 4,81Kr. 96,20
500 - 980Kr. 4,686Kr. 93,72
1000 +Kr. 4,574Kr. 91,48

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-7217
Producentens varenummer:
SiJ128LDP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

25.5A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

SiJ128LDP

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

15.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

22.3W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

30nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5.25mm

Højde

6.25mm

Bredde

1.14 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 80 V (D-S) MOSFET har et meget lavt QG og Qoss reducerer effekttab og forbedrer effektiviteten. Den har et meget lavt QG og Qoss reducerer effekttab og forbedrer effektiviteten.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links