Vishay N-Kanal, MOSFET, 21 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, Si7454DDP
- RS-varenummer:
- 787-9241
- Producentens varenummer:
- SI7454DDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 104,57
(ekskl. moms)
Kr. 130,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5.320 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 10,457 | Kr. 104,57 |
| 100 - 240 | Kr. 9,933 | Kr. 99,33 |
| 250 - 490 | Kr. 8,355 | Kr. 83,55 |
| 500 - 990 | Kr. 6,792 | Kr. 67,92 |
| 1000 + | Kr. 5,745 | Kr. 57,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9241
- Producentens varenummer:
- SI7454DDP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | Si7454DDP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 47mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 12.8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 29.7W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.26mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie Si7454DDP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 47mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 12.8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 29.7W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.26mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 21 A 100 V Forbedring SO-8, Si7454DDP
- Vishay N-Kanal 478 A 30 V Forbedring SO-8, SIRS
- Vishay N-Kanal 5 A 150 V Forbedring SO-8, SI
- Vishay N-Kanal 27 A 40 V Forbedring SO-8, SiR416DP
- Vishay N-Kanal 17 A 100 V Forbedring SO-8, SI
- Vishay N-Kanal 18.7 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 335 A 25 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 265 A 80 V Forbedring SO-8, SIRS
