Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 7,94

(ekskl. moms)

Kr. 9,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
  • Plus 4.210 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 24Kr. 7,94
25 - 49Kr. 7,70
50 - 99Kr. 7,33
100 - 249Kr. 6,88
250 +Kr. 6,36

*Vejledende pris

RS-varenummer:
541-1613
Elfa Distrelec varenummer:
303-41-373
Producentens varenummer:
IRFU120NPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.4A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

IPAK

Serie

HEXFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

210mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

48W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.6mm

Højde

6.1mm

Bredde

2.3 mm

Distrelec Product Id

30341373

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 9,4 A maksimal kontinuerlig dræningsstrøm, 100 V maksimal dræningskildespænding - IRFU120NPBF


Denne N-kanals MOSFET er designet til højtydende anvendelser i elektronik- og el-sektoren. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 9,4 A og en drain-source-spænding på 100 V tilbyder denne enhed pålidelig funktionalitet på tværs af forskellige systemer. MOSFET'en er pakket i et IPAK TO-251-kabinet og giver en kompakt løsning til effektiv effekthåndtering.

Egenskaber og fordele


• Designet til enhancement mode-drift, der giver pålidelig omskiftning

• Høj effektafledningskapacitet på 48W forbedrer ydeevnen

• Ideel til højstrømsapplikationer i robuste elektroniske designs

• Enkelt Si MOSFET-konfiguration sikrer forenklet integration

Anvendelser


• Bruges i strømstyringsløsninger til automatiseringssystemer

• Bruges i motorstyringskredsløb til industrimaskiner

• Anvendes i effektomformere til vedvarende energisystemer

• Velegnet til forbrugerelektronik, der kræver pålidelig strømforsyning

• Integreret i motordrev i elektriske og mekaniske

Hvad er betydningen af den lave Rds(on)-værdi?


Den lave Rds(on)-værdi på 210mΩ sikrer minimal on-state-modstand, hvilket fører til forbedret effektivitet og reduceret varmeudvikling under drift. Denne egenskab er særlig vigtig i højfrekvente applikationer, hvor effekttabet kan være stort.

Hvordan klarer MOSFET'en sig under ekstreme temperaturer?


Med en maksimal driftstemperatur på +175 °C og et minimum på -55 °C er denne enhed konstrueret til at opretholde en ensartet ydeevne i krævende miljøer. Denne modstandsdygtighed gør den velegnet til en lang række anvendelser, hvor temperatursvingninger er almindelige.

Hvilke fordele giver enhancement mode til kredsløbsdesignere?


Enhancement mode gør det muligt for transistoren at være normalt slukket, hvilket forbedrer kredsløbets stabilitet og forhindrer uønsket strøm i ikke-aktive perioder. Denne funktion giver designere øget kontrol over systemets strømstyring.

Kan denne MOSFET bruges i applikationer med høj effekt?


Ja, med en effektafledningsevne på 48W og en maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 9,4A er denne MOSFET velegnet til applikationer med høj effekt. Dens robusthed sikrer pålidelighed i krævende elektriske miljøer.

Relaterede links