Vishay N-Kanal, MOSFET, 23 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SUD23N06-31
- RS-varenummer:
- 636-5397
- Producentens varenummer:
- SUD23N06-31-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 50,27
(ekskl. moms)
Kr. 62,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.270 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 10,054 | Kr. 50,27 |
| 50 - 245 | Kr. 8,542 | Kr. 42,71 |
| 250 - 495 | Kr. 7,062 | Kr. 35,31 |
| 500 - 1245 | Kr. 6,628 | Kr. 33,14 |
| 1250 + | Kr. 6,224 | Kr. 31,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 636-5397
- Producentens varenummer:
- SUD23N06-31-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 23A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | SUD23N06-31 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 31mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 31.25W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 23A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie SUD23N06-31 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 31mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 31.25W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Bredde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SUD23N06-31 seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 23 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SUD23N06-31-GE3
Denne n-kanal-forbedrings-MOSFET er en overflademonteret effekttransistor, der er designet til koblings- og strømstyringsroller i elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til anvendelser, der kræver moderat spændingshåndtering og betydelig kontinuerlig strømkapacitet. Enheden leveres i en TO-252-pakke til nem printkortmontering og termisk interface.
Egenskaber og fordele:
• 60 V drain-source-modstand muliggør mellemspændingsswitching-anvendelser
• 23 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter høje strømbelastninger
• 31 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 11 nC typisk gate-ladning giver hurtigere skifte med lavere drevenergi
• 31,25 W effekttab muliggør håndtering af betydelig termisk belastning
• 23 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter høje strømbelastninger
• 31 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab under drift
• 11 nC typisk gate-ladning giver hurtigere skifte med lavere drevenergi
• 31,25 W effekttab muliggør håndtering af betydelig termisk belastning
Anvendelser
• Velegnet til omskiftertrin for DC-DC-konvertere
• Ideel til strømfordeling i motordrev
• Anvendes sammen med batteristyringskredsløb og strømskinnekredsløb
• Kan bruges til LED-driver-strømkontakter
• Ideel til strømfordeling i motordrev
• Anvendes sammen med batteristyringskredsløb og strømskinnekredsløb
• Kan bruges til LED-driver-strømkontakter
Hvilke gate-spændingsgrænser skal jeg overholde for pålidelig drift?
Den maksimale gate-source-spænding er 20 V, så gate-drivere og bias-netværk skal holde Vgs inden for denne tærskel for at undgå skader.
Hvordan fungerer enheden over ekstreme temperaturer?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til +150 °C, der passer til både koldstartforhold og høje samlingstemperaturer i krævende miljøer.
Hvilke hensyn til emballagen påvirker termisk håndtering på printkortet?
TO-252-pakken giver en termisk vej til kortet
passende kobberområde og termiske ledninger under monteringspladen vil forbedre varmeafgivelsen og opretholde effektkapaciteten.
Hvilken benkonfiguration og tælling bruger den til layoutplanlægning?
Det er en trebenet enhed, der forenkler fodaftrykket, samtidig med at den understøtter direkte strøm- og gate-tilslutninger til kompakte layouter.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 23 A 60 V Forbedring TO-252, SUD23N06-31
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring IPD
- Infineon N-Kanal 31 A 100 V Forbedring TO-252, HEXFET
- STMicroelectronics N-Kanal 23 A 100 V Forbedring TO-252, STripFET
- Vishay N-Kanal 6.4 A 650 V Forbedring TO-252, E
- Vishay N-Kanal 5 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay N-Kanal 4.4 A 850 V Forbedring TO-252, E
- Vishay N-Kanal 2.9 A 800 V Forbedring TO-252, E
