Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 23 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, SUD23N06-31 Nej SUD23N06-31-GE3
- RS-varenummer:
- 636-5397
- Producentens varenummer:
- SUD23N06-31-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 36,62
(ekskl. moms)
Kr. 45,775
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4.545 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,324 | Kr. 36,62 |
| 50 - 245 | Kr. 6,232 | Kr. 31,16 |
| 250 - 495 | Kr. 5,12 | Kr. 25,60 |
| 500 - 1245 | Kr. 4,82 | Kr. 24,10 |
| 1250 + | Kr. 4,534 | Kr. 22,67 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 636-5397
- Producentens varenummer:
- SUD23N06-31-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 23A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SUD23N06-31 | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 31mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.38mm | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 23A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SUD23N06-31 | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 31mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.38mm | ||
Længde 6.73mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 60 V til 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 23 A 60 V DPAK (TO-252) SUD23N06-31-GE3
- Vishay N-Kanal 40 A 60 V DPAK (TO-252), SQ Rugged AEC-Q101 SQD40N06-14L-GE3
- Vishay N-Kanal 7 3 ben, DPAK (TO-252) SIHLR120TR-GE3
- Vishay N-Kanal 19 A 600 V DPAK (TO-252) SIHD186N60EF-GE3
- Vishay N-Kanal 2 3 ben, DPAK (TO-252) SIHD2N80AE-GE3
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR5305TRL
- Infineon N-Kanal 31 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR3410TRLPBF
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR5305TRPBF
