Vishay N-Kanal, MOSFET, 85 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SUP85N10-10P
- RS-varenummer:
- 708-5178
- Producentens varenummer:
- SUP85N10-10-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 43,38
(ekskl. moms)
Kr. 54,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4 enhed(er) afsendes fra 19. oktober 2026
- Plus 372 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 43,38 |
| 10 - 49 | Kr. 42,08 |
| 50 - 99 | Kr. 39,87 |
| 100 - 249 | Kr. 38,17 |
| 250 + | Kr. 36,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 708-5178
- Producentens varenummer:
- SUP85N10-10-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 85A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | SUP85N10-10P | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 105nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.01mm | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 85A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie SUP85N10-10P | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 105nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.01mm | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V til 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 85 A 100 V Forbedring TO-220, SUP85N10-10P
- Infineon N-Kanal 85 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Vishay N-Kanal 150 A 200 V Forbedring TO-220, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 14 A 650 V Forbedring TO-220, SIHF
- Vishay N-Kanal 13 A 600 V Forbedring TO-220, EF
- Vishay N-Kanal 40 A 600 V Forbedring TO-220, E
- Vishay N-Kanal 64 A 200 V Forbedring TO-220, SUP90220E
- Vishay N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-220, SUP50020E