Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 1.2 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2309CDS Nej SI2309CDS-T1-GE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 28,27

(ekskl. moms)

Kr. 35,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 13.770 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 2,827Kr. 28,27

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
710-3250
Producentens varenummer:
SI2309CDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.2A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Serie

Si2309CDS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

345mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.7nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.02mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.4 mm

Længde

3.04mm

Bilindustristandarder

Nej

P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links