Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 6 A 12 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2333DDS
- RS-varenummer:
- 787-9222
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-02-277
- Producentens varenummer:
- SI2333DDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 25,28
(ekskl. moms)
Kr. 31,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- Sidste 140 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 2,528 | Kr. 25,28 |
| 100 - 490 | Kr. 2,379 | Kr. 23,79 |
| 500 - 990 | Kr. 2,147 | Kr. 21,47 |
| 1000 - 2490 | Kr. 2,02 | Kr. 20,20 |
| 2500 + | Kr. 1,90 | Kr. 19,00 |
*Vejledende pris
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
Pr. stk. (på Rulle á 3000)
Kr. 3.258,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.072,50
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 787-9222
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-02-277
- Producentens varenummer:
- SI2333DDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | Si2333DDS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 19Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -8V, +8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.7W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie Si2333DDS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 19Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -8V, +8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.7W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Bredde 1.4mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 6 A 12 V Forbedring SOT-23, Si2333DDS
- Vishay P-kanal-Kanal -3.1 A -20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 4.3 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2323DDS
- Vishay Type P-Kanal 3.5 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2377EDS
- Vishay Type P-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.2 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5.9 A 30 V Forbedring SOT-23, Si2343CDS

