Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4.4 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2319CDS Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 4.563,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.703,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 24.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,521Kr. 4.563,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4208
Producentens varenummer:
SI2319CDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.4A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SOT-23

Serie

Si2319CDS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

108mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.6nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.02mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.4 mm

Længde

3.04mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
FUNKTIONER

• halogenfri iflg. IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• 100% Rg testet

• I overensstemmelse med RoHS Directive 2002/95/EC

ANVENDELSER

• Belastningskontakt

• DC/DC konverter

P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links