Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4.4 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2319CDS

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 4.563,00

(ekskl. moms)

Kr. 5.703,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 24.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,521Kr. 4.563,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4208
Producentens varenummer:
SI2319CDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.4A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

SOT-23

Serie

Si2319CDS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

108mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.6nC

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.02mm

Bredde

1.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
FUNKTIONER

• halogenfri iflg. IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• 100% Rg testet

• I overensstemmelse med RoHS Directive 2002/95/EC

ANVENDELSER

• Belastningskontakt

• DC/DC konverter

P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links