Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4.4 A 40 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2319CDS
- RS-varenummer:
- 787-9042
- Producentens varenummer:
- SI2319CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 35,01
(ekskl. moms)
Kr. 43,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 30 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 90 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 3,501 | Kr. 35,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 787-9042
- Producentens varenummer:
- SI2319CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | Si2319CDS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 108mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie Si2319CDS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 108mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
FUNKTIONER
• halogenfri iflg. IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100% Rg testet
• I overensstemmelse med RoHS Directive 2002/95/EC
ANVENDELSER
• Belastningskontakt
• DC/DC konverter
P-kanal MOSFET, 30 V til 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 4.4 A 40 V Forbedring SOT-23, Si2319CDS
- Vishay Type P-Kanal 4.4 A 8 V Forbedring SOT-23, Si2305CDS
- Vishay Type P-Kanal 7.6 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 6 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 3.5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.3 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2301CDS
- Vishay Type P-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET