Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4.4 A 8 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2305CDS
- RS-varenummer:
- 919-0269
- Producentens varenummer:
- SI2305CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 2.667,00
(ekskl. moms)
Kr. 3.333,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 45.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,889 | Kr. 2.667,00 |
| 6000 + | Kr. 0,844 | Kr. 2.532,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 919-0269
- Producentens varenummer:
- SI2305CDS-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 8V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | Si2305CDS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 35mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 960mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 20nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.02mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 8V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie Si2305CDS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 35mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 960mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 20nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.02mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 4.4 A 8 V Forbedring SOT-23, Si2305CDS
- Vishay Type P-Kanal 4.4 A 40 V Forbedring SOT-23, Si2319CDS
- Vishay Type P-Kanal 7.6 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 6 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 3.5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.3 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2301CDS
- Vishay Type P-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET