Vishay P-Kanal, MOSFET, 4,4 A 8 V, 3 ben, SOT-23 SI2305CDS-T1-GE3

RS-varenummer:: 919-0269
Producentens varenummer:: SI2305CDS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay P-Kanal, MOSFET, 4,4 A 8 V, 3 ben, SOT-23 SI2305CDS-T1-GE3

Pris pr. stk. Pr. stk. (på Rulle á 3000)**

Kr. 0,665

(ekskl. moms)

Kr. 0,831

(inkl. moms)

53860 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr rulle**
3000 +	Kr. 0,665	Kr. 1.995,00

RS-varenummer:: 919-0269
Producentens varenummer:: SI2305CDS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	4,4 A
Drain source spænding maks.	8 V
Kapslingstype	SOT-23
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	35 mΩ
Kanalform	Enhancement
Mindste tærskelspænding for port	0.4V
Effektafsættelse maks.	960 mW
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-8 V, +8 V
Transistormateriale	Si
Antal elementer per chip	1
Længde	3.04mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	12 nC ved 4,5 V, 20 nC ved 8 V
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Bredde	1.4mm
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	1.02mm

Vishay P-Kanal, MOSFET, 4,4 A 8 V, 3 ben, SOT-23 SI2305CDS-T1-GE3

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor

Relaterede links