Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 4.4 A 8 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, Si2305CDS Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.478,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.096,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 48.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,826Kr. 2.478,00
6000 +Kr. 0,785Kr. 2.355,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-0269
Producentens varenummer:
SI2305CDS-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.4A

Drain source spænding maks. Vds

8V

Serie

Si2305CDS

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

35mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

960mW

Portkildespænding maks.

8 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

20nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.4 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.02mm

Længde

3.04mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

P-kanal MOSFET, 8 V til 20 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links