onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 4.1 A 20 V Forbedring, 8 Ben, ChipFET
- RS-varenummer:
- 780-0589
- Producentens varenummer:
- NTHD4102PT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 25 enheder)*
Kr. 173,85
(ekskl. moms)
Kr. 217,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 6,954 | Kr. 173,85 |
| 100 - 225 | Kr. 5,996 | Kr. 149,90 |
| 250 + | Kr. 5,194 | Kr. 129,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 780-0589
- Producentens varenummer:
- NTHD4102PT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | ChipFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 170mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.6nC | |
| Portkildespænding maks. | -8, +8V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Længde | 3.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.7mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype ChipFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 170mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.6nC | ||
Portkildespænding maks. -8, +8V | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Længde 3.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.7mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||