onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 4.1 A 20 V Forbedring, 8 Ben, ChipFET
- RS-varenummer:
- 780-0589
- Producentens varenummer:
- NTHD4102PT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 25 enheder)*
Kr. 171,075
(ekskl. moms)
Kr. 213,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 6,843 | Kr. 171,08 |
| 100 - 225 | Kr. 5,90 | Kr. 147,50 |
| 250 + | Kr. 5,113 | Kr. 127,83 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 780-0589
- Producentens varenummer:
- NTHD4102PT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | ChipFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 170mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.6nC | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 3.1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype ChipFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 170mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.6nC | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 3.1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Dobbelt P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 4.1 A 20 V Forbedring ChipFET
- Vishay Type P-Kanal 4.1 A 250 V Forbedring TO-220FP, IRFI
- onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret 2.6 A 20 V Forbedring MicroFET tynd, PowerTrench
- onsemi 2 Type N Effekt MOSFET 8 Ben, SOIC
- onsemi 2 Type P Effekt MOSFET 6 Ben, SOT-23
- onsemi 2 Type P Effekt MOSFET 8 Ben, ECH
- Vishay Type P-Kanal 9.9 A 30 V Forbedring PowerPAK ChipFET, Si5419DU
- onsemi 2 Type P Effekt MOSFET 6 Ben, SC-88