onsemi 2 Type P, Type N-Kanal N+P belastningsafbryder, Effekt MOSFET, 1.3 A 8 V Forbedring, 6 Ben, SC-88
- RS-varenummer:
- 780-0605
- Producentens varenummer:
- NTJD1155LT1G
- Brand:
- onsemi
Indhold (20 enheder, på en tape med 20)*
Kr. 34,86
(ekskl. moms)
Kr. 43,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.060 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 20 + | Kr. 1,743 | Kr. 34,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 780-0605
- Producentens varenummer:
- NTJD1155LT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 8V | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 320mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Portkildespænding maks. | 8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 400mW | |
| Transistorkonfiguration | N+P belastningsafbryder | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.35mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 8V | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 320mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Portkildespænding maks. 8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 400mW | ||
Transistorkonfiguration N+P belastningsafbryder | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.35mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Egenskaber og fordele:
• ESD beskyttelse
• Ultra-low RDS P-Channel-belastningsafbryder
• V rækkevidde på 1,8 - 8,0 V.
• ON/OFF område - 1,5 til 8,0V
• SOT 363 pakke
• Drev belastninger op til 1,3 A med 8 V.
Anvendelsesområder:
• Højsidereguleringskontakt med niveauskift
• Mobiltelefoner
• Digitale kameraer
• PDA'er
• Medieafspillere
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
NTJD1155L er et MOSFET med to kanaler. Med både P- og N-kanals i en enkelt pakke er dette MOSFET fremragende til lavt kontrolsignal, lav batterispænding og høj belastningsstrøm. N-kanalen er udstyret med intern ESD-beskyttelse og kan drives af logiske signaler så lavt som 1,5 V, mens P-kanalen er designet til at blive brugt til belastningsskifteopgaver. P-kanalen er også designet med ON semis skytteknologi.