Vishay N-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Forbedring, 6 Ben, US, SiA462DJ
- RS-varenummer:
- 814-1222
- Producentens varenummer:
- SIA462DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 137,80
(ekskl. moms)
Kr. 172,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 2,756 | Kr. 137,80 |
| 250 - 450 | Kr. 2,039 | Kr. 101,95 |
| 500 - 1200 | Kr. 1,708 | Kr. 85,40 |
| 1250 - 2450 | Kr. 1,518 | Kr. 75,90 |
| 2500 + | Kr. 1,381 | Kr. 69,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 814-1222
- Producentens varenummer:
- SIA462DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | US | |
| Serie | SiA462DJ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.018Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 19W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | Lead (Pb)-Free | |
| Højde | 800μm | |
| Bredde | 2.15mm | |
| Længde | 2.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype US | ||
Serie SiA462DJ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.018Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 19W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser Lead (Pb)-Free | ||
Højde 800μm | ||
Bredde 2.15mm | ||
Længde 2.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 12 A 30 V Forbedring US, SiA462DJ
- Vishay N-Kanal 1.9 A 100 V Forbedring US, SI
- Vishay Type P-Kanal 0.52 A 150 V Forbedring US, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 4 A 12 V Forbedring US, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring US, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 277 A 100 V Forbedring 8x8L, SIJH
- Vishay N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 12 A 30 V Forbedring SOIC, Si4178DY