Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Forbedring, 6 Ben, US, SiA462DJ Nej SIA462DJ-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 814-1222
- Producentens varenummer:
- SIA462DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 31,35
(ekskl. moms)
Kr. 39,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.550 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 0,627 | Kr. 31,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 814-1222
- Producentens varenummer:
- SIA462DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | SiA462DJ | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.018Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 19W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.8mm | |
| Længde | 2.15mm | |
| Standarder/godkendelser | Lead (Pb)-Free | |
| Bredde | 2.15 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie SiA462DJ | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.018Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 19W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.8mm | ||
Længde 2.15mm | ||
Standarder/godkendelser Lead (Pb)-Free | ||
Bredde 2.15 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 12 A 30 V Forbedring US, SiA462DJ Nej
- Vishay Type N-Kanal 1.9 A 100 V Forbedring US, SI Nej SI1480BDH-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring US, TrenchFET Nej SIA449DJ-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 4 A 12 V Forbedring US, TrenchFET Nej SI1401EDH-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 0.52 A 150 V Forbedring US, TrenchFET Nej SI1411DH-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 10.9 A 30 V Forbedring SOIC, TrenchFET Nej SI4128DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 13.6 A 30 V Forbedring SOIC, Si4162DY Nej SI4162DY-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 12 A 30 V Forbedring SOIC, Si4178DY Nej SI4178DY-T1-GE3