Vishay N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Forbedring, 6 Ben, US, SI

Se alle MOSFET
Få rabat ved storkøb

Tilføj 50 flere for at gemme 2%

Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 79,80

(ekskl. moms)

Kr. 99,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
Besparelse
25 - 25Kr. 3,192Kr. 79,80-
50 - 75Kr. 3,127Kr. 78,182%
100 - 225Kr. 2,842Kr. 71,0510%
250 - 975Kr. 2,782Kr. 69,5512%
1000 +Kr. 2,729Kr. 68,2314%

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9891
Producentens varenummer:
SI1480BDH-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.9A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

SI

Emballagetype

US

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.212Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

100 procent Rg og UIS testet

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.