Vishay N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Forbedring, 6 Ben, US, SI
- RS-varenummer:
- 279-9891
- Producentens varenummer:
- SI1480BDH-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (25 enheder, i en pakke med 25)*
Kr. 79,80
(ekskl. moms)
Kr. 99,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 3,192 | Kr. 79,80 |
| 50 - 75 | Kr. 3,127 | Kr. 78,18 |
| 100 - 225 | Kr. 2,842 | Kr. 71,05 |
| 250 - 975 | Kr. 2,782 | Kr. 69,55 |
| 1000 + | Kr. 2,729 | Kr. 68,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9891
- Producentens varenummer:
- SI1480BDH-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | US | |
| Serie | SI | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.212Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.7W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype US | ||
Serie SI | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.212Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.7W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg og UIS testet
Fuldt blyfri (Pb)-enhed