Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Forbedring, 6 Ben, US, SI Nej SI1480BDH-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 65,15

(ekskl. moms)

Kr. 81,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 25Kr. 2,606Kr. 65,15
50 - 75Kr. 2,552Kr. 63,80
100 - 225Kr. 2,322Kr. 58,05
250 - 975Kr. 2,274Kr. 56,85
1000 +Kr. 2,229Kr. 55,73

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9891
Producentens varenummer:
SI1480BDH-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.9A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

US

Serie

SI

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

0.212Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6nC

Effektafsættelse maks. Pd

1.7W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en N-kanal MOSFET, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

TrenchFET effekt MOSFET

100 procent Rg og UIS testet

Fuldt blyfri (Pb)-enhed

Relaterede links