Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 0.52 A 150 V Forbedring, 6 Ben, US, TrenchFET Nej
- RS-varenummer:
- 180-7265
- Producentens varenummer:
- SI1411DH-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 6.606,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.256,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,202 | Kr. 6.606,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7265
- Producentens varenummer:
- SI1411DH-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 0.52A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | US | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.2nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 2.4 mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 0.52A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype US | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.2nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 2.4 mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Siliconix SI1411DH serien TrenchFET P-kanal Power MOSFET har en drain til kildespænding på 150 V. Den anvendes i aktive spændekredsløb i DC/DC-strømforsyninger.
Lille, termisk forstærket SC-70 hus
Meget lav modstand ved tændt
Blyfri
Halogenfri
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 520 mA 150 V SOT-363, TrenchFET SI1411DH-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 4 A 12 V SOT-363, TrenchFET SI1401EDH-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 10 6 ben TrenchFET SIA449DJ-T1-GE3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 400 mA 6 ben, SOT-363 SI1553CDL-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 500 mA 20 V SC-89-6, TrenchFET SI1034CX-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 12 8 ben TrenchFET Si6423ADQ-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 1 6 ben, SOT-363 SI1967DH-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 4 A 20 V SOT-363 SI1441EDH-T1-GE3
