Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET Nej IRFL4105TRPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 66,88

(ekskl. moms)

Kr. 83,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 20 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
  • Plus 2.280 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 80Kr. 3,344Kr. 66,88
100 - 180Kr. 2,573Kr. 51,46
200 - 480Kr. 2,409Kr. 48,18
500 - 980Kr. 2,237Kr. 44,74
1000 +Kr. 2,068Kr. 41,36

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
827-3994
Producentens varenummer:
IRFL4105TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.2A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

SOT-223

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

45mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2.1W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.8mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

3.7 mm

Længde

6.7mm

Bilindustristandarder

Nej

Distrelec Product Id

304-44-458

N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links