Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q BSP603S2LHUMA1

RS-varenummer:: 462-2935
Producentens varenummer:: BSP603S2LHUMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 5.2 A 55 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q BSP603S2LHUMA1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 110,17

(ekskl. moms)

Kr. 137,71

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 20 enhed(er), klar til afsendelse

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 - 40	Kr. 11,017	Kr. 110,17
50 - 90	Kr. 10,465	Kr. 104,65
100 - 240	Kr. 9,425	Kr. 94,25
250 - 490	Kr. 8,482	Kr. 84,82
500 +	Kr. 8,063	Kr. 80,63

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 462-2935
Producentens varenummer:: BSP603S2LHUMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	5.2A
	Drain source spænding maks. Vds	55V
	Emballagetype	SOT-223
	Serie	OptiMOS
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	33mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	1.8W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	31nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	1.6mm
	Bredde	3.5 mm
	Længde	6.5mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.2A
	Drain source spænding maks. Vds 55V
	Emballagetype SOT-223
	Serie OptiMOS
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 33mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 1.8W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 1.6mm
	Bredde 3.5 mm
	Længde 6.5mm
	Bilindustristandarder AEC-Q

Infineon OptiMOS™ Series MOSFET, 5,2A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 1,8W maksimal effektafledning - BSP603S2LHUMA1

Denne N-kanal MOSFET er konstrueret til effektiv ydelse på tværs af forskellige elektriske anvendelser. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 5,2 A og en maksimal drain-source-spænding på 55 V giver den robuste muligheder for strømstyring og -kontrol, hvilket gør den til en vigtig komponent for fagfolk i bil- og elektronikindustrien.

Egenskaber og fordele

• Lav RDS(on) minimerer strømtab under drift

• Maksimal gate-tærskelspænding forbedrer skifteeffektiviteten

• Overflademonteret design letter integrationen i kompakte printkort

• AEC-kvalificeret til at opfylde strenge standarder for bilindustrien

• Drift ved høje temperaturer op til +150 °C giver lang levetid

Anvendelsesområder

• Strømstyring i bilens elektronik

• Velegnet til DC-DC-konvertere i elektriske køretøjer

• Anvendes i motorstyring til robotteknologi og automatisering

• Belastningsafbryder inden for forbrugerelektronik

Hvad er den typiske gate-ladning ved 10V?

Den typiske gate-ladning er 31nC, hvilket optimerer koblingsydelsen ved 10V.

Er den egnet til anvendelse i miljøer med høje temperaturer?

Ja, den fungerer pålideligt ved temperaturer op til +150 °C, hvilket er ideelt til udfordrende forhold.

Hvordan håndterer denne komponent betydelige strømbelastninger?

Med en maksimal kontinuerlig strøm på 5,2 A kan den effektivt håndtere høje belastninger og samtidig bevare sin ydeevne.

Kan denne MOSFET effektivt reducere energitab?

Ja, den lave RDS(on)-funktion minimerer on-state-modstanden og hjælper med at reducere energitab under drift.

Overholder dette produkt miljøstandarder?

Ja, den er RoHS-kompatibel, hvilket sikrer, at den opfylder miljømæssige sikkerhedsstandarder for elektroniske komponenter.