Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 161 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej IRLR7843TRPBF
- RS-varenummer:
- 830-3382
- Producentens varenummer:
- IRLR7843TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 40,62
(ekskl. moms)
Kr. 50,78
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 60 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 13.900 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 4,062 | Kr. 40,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 830-3382
- Producentens varenummer:
- IRLR7843TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 161A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 140W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.39mm | |
| Distrelec Product Id | 304-37-849 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 161A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 140W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.39mm | ||
Distrelec Product Id 304-37-849 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 161A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 140W maksimal effektafledning - IRLR7843TRPBF
Denne MOSFET er skræddersyet til højtydende anvendelser i den elektriske og elektroniske sektor, især velegnet til bilindustrien og industrielle behov. HEXFET-teknologien sikrer imponerende effektivitet og pålidelighed, hvilket gør den ideel til højfrekvente synkrone buck-omformere og isolerede DC-DC-omformere. Enheden styrer effektivt strømforbruget og forbedrer elektroniske systemers ydeevne.
Egenskaber og fordele
• Ekstremt lav RDS(on) optimerer strømtab og effektivitet
• Høj kontinuerlig afløbsstrøm understøtter intensive anvendelser
• Designet til høje driftstemperaturer for at sikre ydeevnen
• Blyfri konstruktion opfylder miljøbevidste designstandarder
• Lav gate-ladning forbedrer skifteadfærd i kredsløb
Anvendelsesområder
• Bruges i højfrekvente synkrone buck-omformere
• Anvendes i isolerede DC-DC-omformere til telekommunikationssystemer
• Betjener strømstyringssystemer til biler
• Velegnet til industrielle strømforsyninger, der kræver øget effektivitet
• Ideel til strømregulering i computerprocessorer
Hvad er de typiske termiske egenskaber?
Den maksimale driftstemperatur er +175 °C med en termisk modstand på 50 °C/W fra forbindelsen til omgivelserne, hvilket sikrer effektiv ydelse i termiske miljøer.
Hvordan påvirker den lave RDS(on) det overordnede kredsløbsdesign?
Lav RDS(on) reducerer ledningstab, hvilket fører til forbedret effektivitet under varierende belastningsforhold, hvilket er afgørende for højtydende design.
Kan den håndtere pulsstrømme effektivt?
Ja, den kan rumme pulserende afløbsstrømme på op til 620 A, hvilket sikrer driftssikkerhed under dynamiske belastninger.
Hvilke monteringsmetoder er kompatible med denne komponent?
Som en overflademonteret komponent i DPAK-pakke er den velegnet til automatiserede monteringsprocesser.
Er det egnet til brug i bilindustrien?
Ja, dens specifikationer, herunder en maksimal drain-source-spænding på 30 V, gør den velegnet til strømsystemer i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 161 A 30 V DPAK (TO-252), HEXFET IRLR7843TRPBF
- Infineon N-Kanal 43 A 60 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR3806TRL
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRLR024NTRPBF
- Infineon N-Kanal 9 3 ben HEXFET IRFR120NTRLPBF
- Infineon N-Kanal 11 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR9024NTRL
- Infineon N-Kanal 31 A 100 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR3410TRLPBF
- Infineon N-Kanal 56 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR2405TRPBF
- Infineon N-Kanal 86 A 30 V DPAK (TO-252), HEXFET IRFR3709ZTRPBF
