Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2.6 A 60 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
RS-varenummer:
911-4978
Producentens varenummer:
BSP318SH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.6A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SIPMOS

Emballagetype

SOT-223

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

150mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

3.5 mm

Længde

6.5mm

Højde

1.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY

Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links