Infineon N-Kanal, MOSFET, 2,6 A 60 V, 3 ben, SOT-223, SIPMOS® BSP318SH6327XTSA1

RS-varenummer:: 911-4978
Producentens varenummer:: BSP318SH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 2,6 A 60 V, 3 ben, SOT-223, SIPMOS® BSP318SH6327XTSA1

Der er mulighed for mængderabat

Pris pr. stk. Pr. stk. (på Rulle á 1000)

Kr. 2,655

(ekskl. moms)

Kr. 3,319

(inkl. moms)

6270 På lager for afsendelse samme dag*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Dag til dag levering ikke mulig

Enheder	Pr stk.	Pr rulle**
1000 - 1000	Kr. 2,655	Kr. 2.655,00
2000 - 2000	Kr. 2,522	Kr. 2.522,00
3000 +	Kr. 2,363	Kr. 2.363,00

RS-varenummer:: 911-4978
Producentens varenummer:: BSP318SH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	2,6 A
Drain source spænding maks.	60 V
Serie	SIPMOS®
Kapslingstype	SOT-223
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	150 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	2V
Mindste tærskelspænding for port	1.2V
Effektafsættelse maks.	1,8 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Antal elementer per chip	1
Gate-ladning ved Vgs typisk	14 nC ved 10 V
Længde	6.5mm
Transistormateriale	Si
Bredde	3.5mm
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Højde	1.6mm
Driftstemperatur min.	-55 °C

Infineon N-Kanal, MOSFET, 2,6 A 60 V, 3 ben, SOT-223, SIPMOS® BSP318SH6327XTSA1

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er

Relaterede links