Infineon N-Kanal, MOSFET, 2,6 A 60 V, 3 ben, SOT-223, SIPMOS® BSP318SH6327XTSA1

RS-varenummer:: 753-2816
Producentens varenummer:: BSP318SH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 2,6 A 60 V, 3 ben, SOT-223, SIPMOS® BSP318SH6327XTSA1

Der er mulighed for mængderabat

Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 10)

Kr. 4,84

(ekskl. moms)

Kr. 6,05

(inkl. moms)

30 På lager for afsendelse samme dag*

220 enheder til afsendelse inden for 4 arbejdsdag(e) (UK lager)

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Enheder	Pr stk.	Pr pakke**
10 - 90	Kr. 4,84	Kr. 48,40
100 - 240	Kr. 4,594	Kr. 45,94
250 - 490	Kr. 4,404	Kr. 44,04
500 - 990	Kr. 4,208	Kr. 42,08
1000 +	Kr. 3,926	Kr. 39,26

RS-varenummer:: 753-2816
Producentens varenummer:: BSP318SH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	2,6 A
Drain source spænding maks.	60 V
Serie	SIPMOS®
Kapslingstype	SOT-223
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	150 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	2V
Mindste tærskelspænding for port	1.2V
Effektafsættelse maks.	1,8 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Antal elementer per chip	1
Bredde	3.5mm
Transistormateriale	Si
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Længde	6.5mm
Gate-ladning ved Vgs typisk	14 nC ved 10 V
Driftstemperatur min.	-55 °C
Højde	1.6mm

Infineon N-Kanal, MOSFET, 2,6 A 60 V, 3 ben, SOT-223, SIPMOS® BSP318SH6327XTSA1

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er

Relaterede links