Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 9.3 A 80 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 59,42

(ekskl. moms)

Kr. 74,28

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.370 enhed(er) afsendes fra 20. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 +Kr. 5,942Kr. 59,42

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
915-4960
Producentens varenummer:
IRF7493TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

9.3A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

SOIC

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

15mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

35nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Bredde

4 mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links