Microchip N-Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V, 3 ben, TO-92 2N7008-G

Microchip 2N7008 er en transistor med optimeret tilstand (normalt off), der benytter en lodret DMOS-struktur. Udformningen kombinerer effekthåndteringsfunktionerne i en Bipolar transistor med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient i MOS-enheder.

Fri for sekundære nedbrud
Lavt behov for drivstrøm
Nem parallel drift
Lave C_ISS og hurtigt skiftende hastigheder
God termisk stabilitet
Integreret Source-Drain-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning

Microchip 2N7008 N-kanal-forstærknings-mode (normalt slukket) transistoren anvender en lodret DMOS-struktur og gennemprøvet siliciumgate-fremstillingsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsegenskaber for bipolære transistorer og den høje indgangsimpedans og positive temperaturkoefficient, der er indbygget i MOS enhed. Denne enhed er fri for termisk kast og termisk induceret sekundær nedbrydning. De vertikale DMO FET'er er velegnede til en lang række anvendelser med skift og forstærkning, hvor der ønskes meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder.

Fri for sekundære nedbrud
Lavt krav til strømdrev
Nem parallelopsætning
Lav CISS og hurtigt skiftende hastigheder
God termisk stabilitet
Integreret source-drain-diode
Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
Blyfri (Pb)

MOSFET-transistorer, Microchip