Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 130 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, LogicFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 686,15

(ekskl. moms)

Kr. 857,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 13,723Kr. 686,15

*Vejledende pris

RS-varenummer:
919-4943
Producentens varenummer:
IRL1004PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

130A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TO-220

Serie

LogicFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

100nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

16 V

Effektafsættelse maks. Pd

200W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.54mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.69 mm

Højde

8.77mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Infineon LogicFET Series MOSFET, 130A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 200W maksimal effektafledning - IRL1004PBF


Denne højtydende MOSFET anvender Si-teknologi og er designet til effektiv strømstyring i en lang række elektroniske applikationer. Den forbedrede N-kanalstruktur sikrer effektiv drift, hvilket gør den velegnet til moderne automatiserings- og elektriske systemer, især i kredsløb med høj effekt.

Egenskaber og fordele


• Kontinuerlig strømkapacitet på op til 130A

• Maksimal drain-source-spænding på 40 V sikrer robust ydeevne

• Lav Rds(on) på 7mΩ for at mindske varmeudviklingen

• Høj termisk stabilitet med en maksimal driftstemperatur på +175 °C

• Kompakt TO-220AB-pakke giver mulighed for alsidige monteringsmuligheder

Anvendelsesområder


• Højeffektive strømforsyningskredsløb

• Automatiseringssystemer til biler og industri

• Energistyrings- og konverteringssystemer

Hvordan bidrager Rds(on) til enhedens effektivitet?


En lav Rds(on) på 7mΩ minimerer strømtab under drift, hvilket reducerer varmen og forbedrer den samlede effektivitet i strømapplikationer.

Hvad er betydningen af driftstemperaturområdet?


Enheden kan fungere inden for et bredt temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket sikrer pålidelig ydeevne under forskellige miljøforhold og minimerer risikoen for termisk svigt.

Kan den bruges til højfrekvente switching-applikationer?


Ja, den er designet til at kunne skifte hurtigt, hvilket gør den velegnet til højfrekvente operationer og dermed forbedrer ydeevnen i kommunikations- og kontrolsystemer.

Hvilke overvejelser skal man gøre sig i forbindelse med installationen?


Brug passende varmestyringsteknikker, f.eks. en passende kølelegeme, da enheder med høj effekt har brug for effektiv varmeafledning for at opretholde funktionalitet og pålidelighed.

Hvad sker der, hvis gate-source-spændingen overskrider den maksimale værdi?


Overskridelse af den maksimale gate-source-spænding kan resultere i fejl på enheden, så det er vigtigt at overholde de angivne grænser for at sikre lang levetid og forhindre skader.

Relaterede links