STGD18N40LZT4, IGBT, N-Kanal, 30 A 420 V 1MHz, 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 5 enheder)*

Kr. 48,92

(ekskl. moms)

Kr. 61,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.470 enhed(er) afsendes fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
5 - 20Kr. 9,784Kr. 48,92
25 - 45Kr. 9,276Kr. 46,38
50 - 120Kr. 8,348Kr. 41,74
125 - 245Kr. 7,51Kr. 37,55
250 +Kr. 7,15Kr. 35,75

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
795-9019
Producentens varenummer:
STGD18N40LZT4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

30 A

Kollektor emitter spænding maks.

420 V

Gate emitter spænding maks.

16V

Effektafsættelse maks.

125 W

Kapslingstype

DPAK (TO-252)

Monteringstype

Overflademontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Driftstemperatur maks.

+175 °C

IGBT diskrete, ST Microelectronics



IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links