Vishay P-kanal-Kanal, MOSFET til biler, -4.4 A 60 V MOSFET, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 790-420
- Producentens varenummer:
- SQ4961CEY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 59,24
(ekskl. moms)
Kr. 74,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.480 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,924 | Kr. 59,24 |
| 100 - 490 | Kr. 3,86 | Kr. 38,60 |
| 500 - 990 | Kr. 2,97 | Kr. 29,70 |
| 1000 - 2490 | Kr. 2,768 | Kr. 27,68 |
| 2500 + | Kr. 2,341 | Kr. 23,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 790-420
- Producentens varenummer:
- SQ4961CEY-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | P-kanal | |
| Produkttype | MOSFET til biler | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -4.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.085Ω | |
| Kanalform | MOSFET | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 40nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3.3W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype P-kanal | ||
Produkttype MOSFET til biler | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -4.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.085Ω | ||
Kanalform MOSFET | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 40nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3.3W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay Power MOSFET tilbyder høj ydeevne i bilanvendelser med en dobbelt P-kanalkonfiguration, der er designet til effektivt at styre spænding op til 60 V under drift under ekstreme temperaturforhold på 175 °C.
AEC Q101-kvalificeret til pålidelighed i bilindustrien
100 % R- og UIS-test sikrer ensartet drift
Dobbelt P-kanalkonfiguration øger designfleksibiliteten
Lav modstand i tændt tilstand forbedrer energieffektiviteten
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 58 A 100 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 95 A 100 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 49 A 80 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dual N-Kanal 21 A 60 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dual N-Kanal 8 A 40 V MOSFET SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal 47 A 30 V MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 25 A 200 V MOSFET PowerPAK 8 x 8 L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 5.4 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101