Vishay Dual N-Kanal, MOSFET til biler, 8 A 40 V MOSFET, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 790-419
- Producentens varenummer:
- SQ4940CEY-T1_BE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 54,60
(ekskl. moms)
Kr. 68,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.490 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,46 | Kr. 54,60 |
| 100 - 490 | Kr. 3,59 | Kr. 35,90 |
| 500 - 990 | Kr. 2,82 | Kr. 28,20 |
| 1000 - 2490 | Kr. 2,476 | Kr. 24,76 |
| 2500 + | Kr. 2,102 | Kr. 21,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 790-419
- Producentens varenummer:
- SQ4940CEY-T1_BE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET til biler | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.024Ω | |
| Kanalform | MOSFET | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET til biler | ||
Kanaltype Dual N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.024Ω | ||
Kanalform MOSFET | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay Power MOSFET er designet til bilanvendelser og leverer effektiv ydeevne i krævende miljøer. Den har dobbelt N-kanalfunktionalitet, ideel til forskellige elektroniske styringssystemer.
Fungerer ved en drain-source-spænding på 40 V for pålidelig ydeevne
AEC Q101-certificeret for at sikre høj pålidelighed i biler
Designet til en maksimal kontinuerlig drenstrøm på 8 A, der understøtter høje effektbehov
Materialekategorisering i overensstemmelse med industristandarder for miljøsikkerhed
Relaterede links
- Vishay Dual N-Kanal 23.5 A 60 V Forbedring SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dual N-Kanal 21 A 60 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Dual N-Kanal 8 A 40 V Forbedring SO-8, SQ4940CEY AEC-Q101
- Vishay Dual N-Kanal 7 A 60 V Forbedring SO-8, SQ4946CEY AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -4.4 A 60 V MOSFET SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 58 A 100 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 95 A 100 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 49 A 80 V MOSFET PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101