Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRF540ZPBF

RS-varenummer:: 124-9001
Producentens varenummer:: IRF540ZPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRF540ZPBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 324,35

(ekskl. moms)

Kr. 405,45

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

1.000 enhed(er) afsendes fra 05. februar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 - 50	Kr. 6,487	Kr. 324,35
100 - 200	Kr. 5,124	Kr. 256,20
250 - 450	Kr. 4,801	Kr. 240,05
500 - 1200	Kr. 4,41	Kr. 220,50
1250 +	Kr. 4,087	Kr. 204,35

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 124-9001
Producentens varenummer:: IRF540ZPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	36A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	27mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	42nC
	Effektafsættelse maks. Pd	92W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	10.54mm
	Højde	8.77mm
	Bredde	4.69 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype TO-220
	Serie HEXFET
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 27mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC
	Effektafsættelse maks. Pd 92W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 10.54mm
	Højde 8.77mm
	Bredde 4.69 mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 36A maksimal kontinuerlig dræningsstrøm, 100V maksimal dræningskildespænding - IRF540ZPBF

Denne MOSFET er designet til at levere høj ydeevne i forskellige elektroniske applikationer. Den er i stand til at håndtere en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 36 A og en drain-source-spænding på 100 V, og TO-220AB-pakken sikrer effektiv varmeafledning og stabilitet. Med en maksimal effektafledning på 92 W er denne N-kanals enhed særligt velegnet til krævende opgaver i den elektriske og mekaniske industri.

Egenskaber og fordele

• Udnytter HEXFET-teknologi til forbedret effektivitet

• Lav Rds(on) på 26,5 mΩ minimerer strømtab

• Hurtige skiftehastigheder forbedrer driftseffektiviteten

• Understøtter enhancement mode for pålidelig performance

• Designet til at håndtere gentagne lavineforhold

Anvendelser

• Bruges til motorstyring og strømstyring

• Ideel til switching-strømforsyninger og omformere

• Velegnet til biler, der kræver høj effektivitet

• Implementeret i industrielle automatiseringssystemer

• Effektiv i elektroniske enheder med behov for robust ydeevne

Hvilken betydning har den lave Rds(on)-vurdering for dens ydeevne?

Den lave Rds(on)-klassificering reducerer ledningstab, hvilket fører til højere effektivitet under drift. Det giver bedre termisk ydeevne, hvilket er afgørende i applikationer med høj strømstyrke.

Hvordan påvirker den maksimale drain-source-spænding driftssikkerheden?

Drain-source-spændingen på 100 V giver en betydelig sikkerhedsmargin for applikationer, hvilket sikrer pålidelig drift under varierende spændingsforhold og dermed forhindrer sammenbrud.

Kan denne MOSFET klare miljøer med høje temperaturer?

Med en maksimal driftstemperatur på 175 °C er den designet til at fungere pålideligt under højtemperaturforhold, hvilket gør den velegnet til udfordrende miljøer i bilindustrien og industrien.