Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 10,40

(ekskl. moms)

Kr. 13,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 16 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 42 enhed(er) afsendes fra 14. januar 2026
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 12. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 5,20Kr. 10,40
20 - 98Kr. 4,75Kr. 9,50
100 - 198Kr. 4,34Kr. 8,68
200 - 498Kr. 4,075Kr. 8,15
500 +Kr. 3,815Kr. 7,63

*Vejledende pris

RS-varenummer:
688-6872
Producentens varenummer:
IRF540ZPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

36A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

27mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

92W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.54mm

Højde

8.77mm

Bredde

4.69 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 36A maksimal kontinuerlig dræningsstrøm, 100V maksimal dræningskildespænding - IRF540ZPBF


Denne MOSFET er designet til at levere høj ydeevne i forskellige elektroniske applikationer. Den er i stand til at håndtere en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 36 A og en drain-source-spænding på 100 V, og TO-220AB-pakken sikrer effektiv varmeafledning og stabilitet. Med en maksimal effektafledning på 92 W er denne N-kanals enhed særligt velegnet til krævende opgaver i den elektriske og mekaniske industri.

Egenskaber og fordele


• Udnytter HEXFET-teknologi til forbedret effektivitet

• Lav Rds(on) på 26,5 mΩ minimerer strømtab

• Hurtige skiftehastigheder forbedrer driftseffektiviteten

• Understøtter enhancement mode for pålidelig performance

• Designet til at håndtere gentagne lavineforhold

Anvendelser


• Bruges til motorstyring og strømstyring

• Ideel til switching-strømforsyninger og omformere

• Velegnet til biler, der kræver høj effektivitet

• Implementeret i industrielle automatiseringssystemer

• Effektiv i elektroniske enheder med behov for robust ydeevne

Hvilken betydning har den lave Rds(on)-vurdering for dens ydeevne?


Den lave Rds(on)-klassificering reducerer ledningstab, hvilket fører til højere effektivitet under drift. Det giver bedre termisk ydeevne, hvilket er afgørende i applikationer med høj strømstyrke.

Hvordan påvirker den maksimale drain-source-spænding driftssikkerheden?


Drain-source-spændingen på 100 V giver en betydelig sikkerhedsmargin for applikationer, hvilket sikrer pålidelig drift under varierende spændingsforhold og dermed forhindrer sammenbrud.

Kan denne MOSFET klare miljøer med høje temperaturer?


Med en maksimal driftstemperatur på 175 °C er den designet til at fungere pålideligt under højtemperaturforhold, hvilket gør den velegnet til udfordrende miljøer i bilindustrien og industrien.

Relaterede links