Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 36 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-varenummer:
- 688-6872
- Producentens varenummer:
- IRF540ZPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 9,35
(ekskl. moms)
Kr. 11,688
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 472 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
- Plus 52 enhed(er) afsendes fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 4,675 | Kr. 9,35 |
| 20 - 98 | Kr. 4,30 | Kr. 8,60 |
| 100 - 198 | Kr. 3,89 | Kr. 7,78 |
| 200 - 498 | Kr. 3,63 | Kr. 7,26 |
| 500 + | Kr. 3,405 | Kr. 6,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 688-6872
- Producentens varenummer:
- IRF540ZPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 36A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 27mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 92W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 8.77mm | |
| Længde | 10.54mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 36A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 27mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 92W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 8.77mm | ||
Længde 10.54mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 36A maksimal kontinuerlig dræningsstrøm, 100V maksimal dræningskildespænding - IRF540ZPBF
Denne MOSFET er designet til at levere høj ydeevne i forskellige elektroniske applikationer. Den er i stand til at håndtere en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 36 A og en drain-source-spænding på 100 V, og TO-220AB-pakken sikrer effektiv varmeafledning og stabilitet. Med en maksimal effektafledning på 92 W er denne N-kanals enhed særligt velegnet til krævende opgaver i den elektriske og mekaniske industri.
Egenskaber og fordele
• Udnytter HEXFET-teknologi til forbedret effektivitet
• Lav Rds(on) på 26,5 mΩ minimerer strømtab
• Hurtige skiftehastigheder forbedrer driftseffektiviteten
• Understøtter enhancement mode for pålidelig performance
• Designet til at håndtere gentagne lavineforhold
Anvendelser
• Bruges til motorstyring og strømstyring
• Ideel til switching-strømforsyninger og omformere
• Velegnet til biler, der kræver høj effektivitet
• Implementeret i industrielle automatiseringssystemer
• Effektiv i elektroniske enheder med behov for robust ydeevne
Hvilken betydning har den lave Rds(on)-vurdering for dens ydeevne?
Den lave Rds(on)-klassificering reducerer ledningstab, hvilket fører til højere effektivitet under drift. Det giver bedre termisk ydeevne, hvilket er afgørende i applikationer med høj strømstyrke.
Hvordan påvirker den maksimale drain-source-spænding driftssikkerheden?
Drain-source-spændingen på 100 V giver en betydelig sikkerhedsmargin for applikationer, hvilket sikrer pålidelig drift under varierende spændingsforhold og dermed forhindrer sammenbrud.
Kan denne MOSFET klare miljøer med høje temperaturer?
Med en maksimal driftstemperatur på 175 °C er den designet til at fungere pålideligt under højtemperaturforhold, hvilket gør den velegnet til udfordrende miljøer i bilindustrien og industrien.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 36 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 36 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 36 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 97 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 35 A 150 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 270 A 60 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET