Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 1.1 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET

RS-varenummer:: 145-2681
Producentens varenummer:: SI1967DH-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 1.1 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.384,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.230,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 26. november 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 1,128	Kr. 3.384,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 145-2681
Producentens varenummer:: SI1967DH-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.1A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Emballagetype	SC-88
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	790mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	8V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	2.6nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	1.25W
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	2.2mm
	Bredde	1.35mm
	Højde	1mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.1A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Emballagetype SC-88
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 790mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 8V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.6nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 1.25W
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 2.2mm
	Bredde 1.35mm
	Højde 1mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Vishay TrenchFET seriens Power MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 1,1 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SI1967DH-T1-GE3

Denne effekt-MOSFET er en P-kanal overflademonteret transistor, der er designet til lavspændingsswitching i kompakte elektroniske systemer. Den fungerer som en forstærkningsenhed og er beregnet til strømstyring på kortniveau, hvor der kræves beskeden strømhåndtering og et lille fodaftryk.

Egenskaber og fordele:

• 20 V drain-source-klassificering muliggør implementering af lavspændingssystemer • 1,1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter let strømomskiftning • 790 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab under drift • 2,6 nC typisk portladning muliggør hurtigere portovergange • 1,25 W effekttab styrer termisk belastning i små samlinger • Dual-elementisoleret transistor giver mulighed for parrede koblingsarrangementer

Anvendelser

• Velegnet til batteristyring og omskiftning af strømskinner i bærbart udstyr • Ideel til belastningsswitching i industrielle styringsmoduler • Anvendes til beskyttelse mod omvendt polaritet i integrerede systemer • Kan bruges til skift af signalniveau i blandede spændingskredsløb

Hvilken pakke skal jeg planlægge for, når jeg designer printkortet?

Enheden leveres i en 6-benet SC‐88 SMD-pakke, der optager et kompakt fodaftryk, der er velegnet til kort med høj tæthed.

Hvordan påvirker temperaturen driftsgrænserne?

Komponenten er specificeret til drift mellem -55 °C og 150 °C, hvilket definerer de tilladte omgivelses- og samlingsmiljøer for pålidelig omskiftning.

Kan denne komponent bruges i bilsystemer?

Den er ikke klassificeret iht. bilstandarder, så egnetheden skal vurderes i forhold til kvalifikationskrav til køretøjer før brug.

Hvilket gate-spændingsområde er tilladt for styresignaler?

Gate-drev må ikke overstige en 8 V gate-til-kilde-grænse for at undgå overbelastning af enheden.

Hvor mange transistorelementer er på chippen, og hvilken konfiguration er de?

Chippen indeholder to isolerede elementer, der er konfigureret til at muliggøre parrede eller uafhængige koblingsarrangementer.