Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 1.1 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET

RS-varenummer:: 145-2681
Producentens varenummer:: SI1967DH-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 1.1 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, TrenchFET

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 145-2681
Producentens varenummer:: SI1967DH-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.1A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Emballagetype	SC-88
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	790mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	-8V, +8V
	Effektafsættelse maks. Pd	1.25W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	2.6nC
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Bredde	1.35mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	2.2mm
	Højde	1mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Effekt MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.1A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Emballagetype SC-88
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 790mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. -8V, +8V
	Effektafsættelse maks. Pd 1.25W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.6nC
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Bredde 1.35mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 2.2mm
	Højde 1mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Vishay TrenchFET seriens Power MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 1,1 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SI1967DH-T1-GE3

Denne effekt-MOSFET er en overflademonteret P-kanal-transistor, der er beregnet til lavspændingsswitching og analoge funktioner i kompakte elektroniske enheder. Den fungerer som en forstærkningsenhed og er designet til at blive integreret, hvor der kræves isoleret transistorkonfiguration og beskeden kontinuerlig strømhåndtering. Komponenten leveres i en lille SC-88-pakke, der er velegnet til tætte layouts.

Egenskaber og fordele:

• 20 V drain-source-klassificering muliggør lavspændingsswitching
• 1,1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter stabile belastninger
• 790 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab
• 2,6 nC typisk gate-ladning giver mulighed for hurtigere gate-overgange
• 1.25 W effekttab tåler moderat termisk belastning

Anvendelser

• Velegnet til batteribeskyttelseskredsløb i bærbart udstyr
• Ideel til belastningsswitching i kompakte strømmoduler
• Anvendes sammen med niveauskifttrin i analoge frontender
• Kan bruges til 2-kanals omskiftning i trange pladsforhold til printkort

Hvilken monteringstype kræves der til montering?

Den er beregnet til overflademontering på standard lodbare puder, der er kompatible med SC-88-fodaftryk.

Hvor mange aktive transistorelementer indeholder den?

Enheden indeholder to elementer pr. chip, hvilket muliggør dobbeltfunktion eller komplementær routing i design.

Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde?

Den maksimale mærkespænding fra gate til kilde er 8 V, som ikke må overskrides for at undgå enhedsbelastning.

Hvilket temperaturområde kan den tåle under drift?

Den er specificeret til drift mellem -55 °C og 150 °C og passer til en lang række miljøforhold.