Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, Si3473CDV Nej
- RS-varenummer:
- 146-4441
- Producentens varenummer:
- SI3473CDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 5.604,00
(ekskl. moms)
Kr. 7.005,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 31. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 1,868 | Kr. 5.604,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 146-4441
- Producentens varenummer:
- SI3473CDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Serie | Si3473CDV | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 36mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 43nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4.2W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Længde | 3.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype TSOP | ||
Serie Si3473CDV | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 36mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 43nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4.2W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Længde 3.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Halogenfri
TrenchFET® Power MOSFET
PWM-optimeret
ANVENDELSER
Belastningsomskifter
PA-kontakt
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 8 A 12 V Forbedring TSOP, Si3473CDV Nej SI3473CDV-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 8 A 12 V Forbedring TSOP, TrenchFET Nej
- Vishay Type P-Kanal 5.4 A 80 V Forbedring TSOP, TrenchFET Nej
- Vishay Type P-Kanal 8 A 30 V Forbedring TSOP, TrenchFET Nej
- Vishay Type P-Kanal 6 A 20 V Forbedring TSOP, Si3433CDV Nej
- Vishay Type P-Kanal 8 A 20 V Forbedring TSOP, TrenchFET Nej
- Vishay Type P-Kanal 8 A 20 V Forbedring TSOP, TrenchFET Nej SI3493DDV-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 8 A 12 V Forbedring TSOP, TrenchFET Nej SI3477DV-T1-GE3