Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 2.6 A 150 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 4.282,50

(ekskl. moms)

Kr. 5.352,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Midlertidigt ikke på lager
  • 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 1,713Kr. 4.282,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-5560
Producentens varenummer:
IRFL4315TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.6A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

SOT-223

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

185mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

12nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

2.8W

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.7mm

Højde

1.8mm

Bredde

3.7 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 2,6 A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2,8 W maksimal effektafledning - IRFL4315TRPBF


Denne MOSFET er velegnet til strømapplikationer og leverer solid ydeevne og forbedret pålidelighed i forskellige miljøer. Som en nøglekomponent i switching-applikationer muliggør den effektiv styring af strømforsyningen. Dens overflademonterede design gør den velegnet til højtydende kredsløb, der kræver lav gate-til-drain-ladning, hvilket minimerer koblingstab, hvilket er en fordel for brugere i automations- og elektronikindustrien.

Egenskaber og fordele


• Kontinuerlig afløbsstrøm på 2,6 A giver plads til en række anvendelser

• Maksimal drain-source-spænding på 150 V muliggør drift med høj effekt

• Lav Rds(on) på 185mΩ forbedrer energieffektiviteten

• Driftstemperaturområde fra -55 °C til +150 °C understøtter pålidelig ydeevne

• Gate-tærskelspændingen er optimeret for nemmere kredsløbsdesign

• Fuldt karakteriserede lavineegenskaber giver ekstra beskyttelse

Anvendelsesområder


• Højfrekvente DC-DC-konvertere

• Strømstyringssystemer til forbedret effektivitet

• Switching-strømforsyninger til forbedret ydeevne

Hvad er betydningen af den lave Rds(on)-værdi?


En lav Rds(on) reducerer strømtab under drift og forbedrer den samlede effektivitet på tværs af flere applikationer.

Hvordan påvirker det brede temperaturområde brugen?


Det brede driftstemperaturområde sikrer pålidelig ydeevne under ekstreme forhold, hvilket gør den velegnet til forskellige miljøer.

Kan den bruges i både høj- og lavfrekvente applikationer?


Ja, den passer til både højfrekvente DC-DC-konvertere og applikationer, der kræver lavfrekvent switching.

Hvad skal man overveje i forbindelse med installationen?


Der skal tages højde for korrekt kredsløbslayout og varmestyring for at optimere ydeevnen under installationen.

Hvordan påvirker gate-tærskelspændingen kredsløbsdesignet?


Gate-tærskelspændingen giver bedre kontrol over skifteadfærden, hvilket gør det nemmere at designe drivkredsløbet.

Relaterede links