Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 5.604,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.005,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 5,604Kr. 5.604,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-8268
Producentens varenummer:
IPB083N10N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

15.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

9.45 mm

Højde

4.57mm

Længde

10.31mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links