Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej IPB083N10N3GATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 8 enheder)*

Kr. 92,92

(ekskl. moms)

Kr. 116,152

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
8 +Kr. 11,615Kr. 92,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
897-7361
Producentens varenummer:
IPB083N10N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

15.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.31mm

Højde

4.57mm

Bredde

9.45 mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Ikke relevant

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links