Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej IPB083N10N3GATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 8 enheder)*

Kr. 92,92

(ekskl. moms)

Kr. 116,152

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 240 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
8 +Kr. 11,615Kr. 92,92

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
897-7361
Producentens varenummer:
IPB083N10N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

15.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

42nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.57mm

Længde

10.31mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.45 mm

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Ikke relevant

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links