Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 2 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101 SQ2364EES-T1_GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 98,65

(ekskl. moms)

Kr. 123,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 3.225 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 75Kr. 3,946Kr. 98,65
100 - 475Kr. 2,788Kr. 69,70
500 - 975Kr. 2,328Kr. 58,20
1000 +Kr. 1,975Kr. 49,38

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3877
Producentens varenummer:
SQ2364EES-T1_GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

600mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

3W

Portkildespænding maks.

8 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

1.02mm

Bredde

1.4 mm

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSF


Vishay overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en drænkildespænding på 60 V og en maksimal gate-source spænding på 8 V. Den har en drænkildestyrke på 240 mhms ved en gate-source-spænding på 4,5 V. Den har en maksimal effektspredning på 3 W og kontinuerlig drænstrøm på 2A. Den har en min. og en maksimal kørespænding på 1,5 V og 4,5 V. Den bruges til automotive-anvendelser. MOSFET er optimeret til lavere switching- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• Afledning (Pb) fri

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 175°C.

• TrenchFET power MOSFET

Certifikater


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testet

• UIS testet

Relaterede links