Vishay Siliconix Type P-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 4 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101 SQD40031EL_GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 91,56

(ekskl. moms)

Kr. 114,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 660 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 9,156Kr. 91,56
100 - 490Kr. 7,802Kr. 78,02
500 - 990Kr. 6,867Kr. 68,67
1000 +Kr. 5,954Kr. 59,54

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
178-3950
Producentens varenummer:
SQD40031EL_GE3
Brand:
Vishay Siliconix
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay Siliconix

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

TO-252

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

5mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.5V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

136W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

186nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

2.38 mm

Længde

6.73mm

Højde

6.22mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
TW

Vishay MOSF


Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildestyrke på 3,2 mdr. Ved en gate-source spænding på 10 V. Den har en maksimal effektspredning på 136 W og en konstant drænstrøm på 100 A. Den har en min. og en maksimal kørespænding på 4,5 V og 10 V. Den bruges til automotive-anvendelser. MOSFET er optimeret til lavere switching- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• Afledning (Pb) fri

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 175°C.

• TrenchFET power MOSFET

Certifikater


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testet

• UIS testet

Relaterede links