Vishay Siliconix Type P-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 4 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-3950
- Producentens varenummer:
- SQD40031EL_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 94,25
(ekskl. moms)
Kr. 117,81
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 610 enhed(er) afsendes fra 06. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 9,425 | Kr. 94,25 |
| 100 - 490 | Kr. 8,034 | Kr. 80,34 |
| 500 - 990 | Kr. 7,076 | Kr. 70,76 |
| 1000 + | Kr. 6,134 | Kr. 61,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3950
- Producentens varenummer:
- SQD40031EL_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 186nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 186nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay MOSF
Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-source spænding på 20 V. Den har en drænkildestyrke på 3,2 mdr. Ved en gate-source spænding på 10 V. Den har en maksimal effektspredning på 136 W og en konstant drænstrøm på 100 A. Den har en min. og en maksimal kørespænding på 4,5 V og 10 V. Den bruges til automotive-anvendelser. MOSFET er optimeret til lavere switching- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• Afledning (Pb) fri
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 175°C.
• TrenchFET power MOSFET
Certifikater
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg testet
• UIS testet
Relaterede links
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 100 A 30 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 100 A 40 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 16 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 10 A 30 V Forbedring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 2.68 A 20 V Forbedring SC-70, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 9.4 A 200 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, TrenchFET AEC-Q101