Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 3.1 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-7719
- Producentens varenummer:
- SI2301CDS-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 64,70
(ekskl. moms)
Kr. 80,875
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Begrænset lager
- 125 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 2,588 | Kr. 64,70 |
| 250 - 600 | Kr. 2,537 | Kr. 63,43 |
| 625 - 1225 | Kr. 1,759 | Kr. 43,98 |
| 1250 - 2475 | Kr. 1,326 | Kr. 33,15 |
| 2500 + | Kr. 1,137 | Kr. 28,43 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7719
- Producentens varenummer:
- SI2301CDS-T1-E3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 112mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.04mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 112mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.04mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 20 V og en maksimal gate-kildespænding på 8 V. Den har en drænkildemodstand på 112mohm ved en gate-source spænding på 4,5 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 3,1 A og maksimalt effekttab på 1,6 W. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 2,5V og 4,5 V. Den kan anvendes i belastningsafbrydere til bærbare enheder. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal 3.1 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay P-kanal-Kanal -3.1 A -20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.3 A 20 V Forbedring SOT-23, Si2301CDS
- Vishay Type N-Kanal 3.1 A 100 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 5.9 A 20 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.2 A 80 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 2.7 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Type P-Kanal 7.6 A 30 V Forbedring SOT-23, TrenchFET