Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 3.1 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej SI2301CDS-T1-E3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 64,70

(ekskl. moms)

Kr. 80,875

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 325 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 225Kr. 2,588Kr. 64,70
250 - 600Kr. 2,537Kr. 63,43
625 - 1225Kr. 1,759Kr. 43,98
1250 - 2475Kr. 1,326Kr. 33,15
2500 +Kr. 1,137Kr. 28,43

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
180-7719
Producentens varenummer:
SI2301CDS-T1-E3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.1A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOT-23

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

112mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Portkildespænding maks.

8 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

2.64 mm

Højde

1.12mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.04mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 20 V og en maksimal gate-kildespænding på 8 V. Den har en drænkildemodstand på 112mohm ved en gate-source spænding på 4,5 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 3,1 A og maksimalt effekttab på 1,6 W. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 2,5V og 4,5 V. Den kan anvendes i belastningsafbrydere til bærbare enheder. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

Relaterede links