MPN

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej SI2399DS-T1-GE3

RS-varenummer:: 180-7829
Producentens varenummer:: SI2399DS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET Nej SI2399DS-T1-GE3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 57,46

(ekskl. moms)

Kr. 71,82

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

8.200 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
20 - 180	Kr. 2,873	Kr. 57,46
200 - 480	Kr. 2,813	Kr. 56,26
500 - 980	Kr. 2,125	Kr. 42,50
1000 - 1980	Kr. 1,751	Kr. 35,02
2000 +	Kr. 1,377	Kr. 27,54

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-7829
Producentens varenummer:: SI2399DS-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	6A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Emballagetype	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	67mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	10nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	1.6W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	2.64 mm
	Længde	3.04mm
	Højde	1.12mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Emballagetype SOT-23
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 67mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 1.6W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 2.64 mm
	Længde 3.04mm
	Højde 1.12mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret P-kanal MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 20 V og en maksimal gate-kildespænding på 12 V. Den har en drænkildemodstand på 34 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 2,5 W og kontinuerlig drænstrøm på 6 A. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 2,5V og 10V. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Anvendelsesområder

• DC/DC-konvertere

• Belastningsomskifter

• PA-kontakt

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet