Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 108 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS05DN Nej
- RS-varenummer:
- 188-4900
- Producentens varenummer:
- SiSS05DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 10.956,00
(ekskl. moms)
Kr. 13.695,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,652 | Kr. 10.956,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4900
- Producentens varenummer:
- SiSS05DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 108A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiSS05DN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65.7W | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.3mm | |
| Højde | 0.78mm | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 108A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Serie SiSS05DN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65.7W | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.3mm | ||
Højde 0.78mm | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
P-kanal 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV-kanalsstrømforsyning MOSFET
Giver usædvanligt lavt RDS(on) i en kompakt pakke, der er termisk forbedret
Muliggør højere effekttæthed
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 108 A 30 V PowerPAK 1212-8S SiSS05DN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 16 8 ben, PowerPAK 1212-8S SISS73DN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 111.9 A. 20 V PowerPAK 1212-8S SiSS61DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 108 A 45 V PowerPAK 1212-8S, TrenchFET® Gen IV SISS50DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 11 PowerPAK 1212-8S SISS42LDN-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 127 8 ben TrenchFET® Gen III SiSS63DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 12 8 ben, PowerPAK 1212-8S SiSS92DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 67 8 ben, PowerPAK 1212-8S SiSS76LDN-T1-GE3
