STMicroelectronics Type N-Kanal, SiC-strømmodul, 45 A 650 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V
- RS-varenummer:
- 204-3957
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 2.657,94
(ekskl. moms)
Kr. 3.322,44
(inkl. moms)
Tilføj 30 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 60 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 88,598 | Kr. 2.657,94 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-3957
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | SiC-strømmodul | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SCTWA35N65G2V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.072Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Højde | 41.2mm | |
| Bredde | 5.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype SiC-strømmodul | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SCTWA35N65G2V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.072Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Højde 41.2mm | ||
Bredde 5.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af både modstand ved tilkobling og koblingstab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.
Lav kapacitet
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Meget lille variation i modstand mod temperatur
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 16 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW35
- Littelfuse Type N-Kanal 36 A 200 V Forbedring TO-247
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW90