STMicroelectronics Type N-Kanal, SiC-strømmodul, 45 A 650 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V Nej SCTWA35N65G2V

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 86,54

(ekskl. moms)

Kr. 108,18

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 80 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 86,54
5 - 9Kr. 84,37
10 +Kr. 82,21

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-3959
Producentens varenummer:
SCTWA35N65G2V
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

SiC-strømmodul

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCTWA35N65G2V

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.072Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

240W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

3.3V

Driftstemperatur maks.

200°C

Længde

15.9mm

Bredde

5.1 mm

Højde

41.2mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af både modstand ved tilkobling og koblingstab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.

Lav kapacitet

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Meget lille variation i modstand mod temperatur

Relaterede links