STMicroelectronics Type N-Kanal, SiC-strømmodul, 45 A 650 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V
- RS-varenummer:
- 204-3959
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 204-3959
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | SiC-strømmodul | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA35N65G2V | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.072Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Længde | 15.9mm | |
| Højde | 41.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype SiC-strømmodul | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCTWA35N65G2V | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.072Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.3V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Længde 15.9mm | ||
Højde 41.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af både modstand ved tilkobling og koblingstab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.
Lav kapacitet
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Meget lille variation i modstand mod temperatur
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 16 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW35
- Littelfuse Type N-Kanal 36 A 200 V Forbedring TO-247
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW90
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Udtømning Hip-247, SCT