STMicroelectronics Type N-Kanal, SiC-strømmodul, 45 A 650 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V
- RS-varenummer:
- 204-3959
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 86,54
(ekskl. moms)
Kr. 108,18
(inkl. moms)
Tilføj 6 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 80 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 86,54 |
| 5 - 9 | Kr. 84,37 |
| 10 + | Kr. 82,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-3959
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | SiC-strømmodul | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA35N65G2V | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.072Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Bredde | 5.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 41.2mm | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype SiC-strømmodul | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCTWA35N65G2V | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.072Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.3V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Bredde 5.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 41.2mm | ||
Længde 15.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af både modstand ved tilkobling og koblingstab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.
Lav kapacitet
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Meget lille variation i modstand mod temperatur
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 16 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW35
- Littelfuse Type N-Kanal 36 A 200 V Forbedring TO-247
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW90