STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- RS-varenummer:
- 233-0473
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 96,57
(ekskl. moms)
Kr. 120,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 236 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 96,57 |
| 10 - 99 | Kr. 91,26 |
| 100 + | Kr. 90,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-0473
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA35N65G2V-4 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 67mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.3V | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 21.1mm | |
| Længde | 20.1mm | |
| Højde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCTWA35N65G2V-4 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 67mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.3V | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 21.1mm | ||
Længde 20.1mm | ||
Højde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumcarbid MOSFET-enheden er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ 2. Generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.
Meget hurtig og robust indbygget lysdiode
Lav arbejdsdygtighed
Kildesensorstift for øget effektivitet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW35
- STMicroelectronics N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA90N65G2V-4
- STMicroelectronics N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW90
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 650 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring Hip-247
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCT30N120H