STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V-4 Nej SCTWA35N65G2V-4
- RS-varenummer:
- 233-0473
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 98,44
(ekskl. moms)
Kr. 123,05
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 241 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 98,44 |
| 5 - 9 | Kr. 95,89 |
| 10 - 24 | Kr. 93,28 |
| 25 - 49 | Kr. 90,96 |
| 50 + | Kr. 88,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-0473
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA35N65G2V-4 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 67mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Højde | 5.1mm | |
| Bredde | 21.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 20.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCTWA35N65G2V-4 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 67mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Højde 5.1mm | ||
Bredde 21.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 20.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumcarbid MOSFET-enheden er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ 2. Generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.
Meget hurtig og robust indbygget lysdiode
Lav arbejdsdygtighed
Kildesensorstift for øget effektivitet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V-4 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V Nej SCTWA35N65G2V
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW35 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW35 Nej SCTW35N65G2V
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA90N65G2V-4 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA90N65G2V-4 Nej SCTWA90N65G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Udtømning Hip-247, SCT Nej