STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- RS-varenummer:
- 233-0473
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 96,57
(ekskl. moms)
Kr. 120,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 236 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 96,57 |
| 10 - 99 | Kr. 91,26 |
| 100 + | Kr. 90,21 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 233-0473
- Producentens varenummer:
- SCTWA35N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SCTWA35N65G2V-4 | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 67mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Højde | 5.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 20.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SCTWA35N65G2V-4 | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 67mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Højde 5.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 20.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumcarbid MOSFET-enheden er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ 2. Generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.
Meget hurtig og robust indbygget lysdiode
Lav arbejdsdygtighed
Kildesensorstift for øget effektivitet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW35
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA90N65G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW90
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 1200 V Forbedring Hip-247
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal 4 Ben SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben SiC MOSFET AEC-Q101