STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 119 A 650 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTW90
- RS-varenummer:
- 201-0887
- Producentens varenummer:
- SCTW90N65G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 187,60
(ekskl. moms)
Kr. 234,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 187,60 |
| 10 - 99 | Kr. 185,28 |
| 100 - 599 | Kr. 183,04 |
| 600 + | Kr. 180,79 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 201-0887
- Producentens varenummer:
- SCTW90N65G2V
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 119A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCTW90 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 565W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 157nC | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.75mm | |
| Højde | 20.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 119A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCTW90 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 565W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 157nC | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.75mm | ||
Højde 20.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics 650 V siliciumkarbid power MOSFET har en mærkestrøm på 119 A og drain-to-source modstand 18 m Ohm. Den har lav modstand ved tænding pr. enhedsområde og meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.
Meget høj funktion for samledetemperatur (TJ = 175 °C)
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW90
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA90N65G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW35
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal 4 Ben SCT