STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 119 A 650 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTW90 Nej SCTW90N65G2V

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 219,61

(ekskl. moms)

Kr. 274,51

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 219,61
5 - 9Kr. 213,63
10 - 24Kr. 208,09
25 - 49Kr. 202,78
50 +Kr. 197,62

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
201-0887
Producentens varenummer:
SCTW90N65G2V
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

119A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCTW90

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

24mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

157nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

18 V

Effektafsættelse maks. Pd

565W

Gennemgangsspænding Vf

2.5V

Driftstemperatur maks.

200°C

Højde

20.15mm

Bredde

5.15 mm

Længde

15.75mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics 650 V siliciumkarbid power MOSFET har en mærkestrøm på 119 A og drain-to-source modstand 18 m Ohm. Den har lav modstand ved tænding pr. enhedsområde og meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.

Meget høj funktion for samledetemperatur (TJ = 175 °C)

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Relaterede links