STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 119 A 650 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA90N65G2V-4
- RS-varenummer:
- 213-3943
- Producentens varenummer:
- SCTWA90N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 6.204,51
(ekskl. moms)
Kr. 7.755,63
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 206,817 | Kr. 6.204,51 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 213-3943
- Producentens varenummer:
- SCTWA90N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 119A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 656W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 157nC | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bredde | 21.1 mm | |
| Højde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 119A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SCTWA90N65G2V-4 | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 656W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 157nC | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.9mm | ||
Bredde 21.1 mm | ||
Højde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA90N65G2V-4 Nej SCTWA90N65G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW90 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW90 Nej SCTW90N65G2V
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V-4 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V-4 Nej SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW35 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW35 Nej SCTW35N65G2V
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal 4 Ben SCT SCT070W120G3-4