STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 119 A 650 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA90N65G2V-4
- RS-varenummer:
- 213-3943
- Producentens varenummer:
- SCTWA90N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 5.948,31
(ekskl. moms)
Kr. 7.435,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 198,277 | Kr. 5.948,31 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 213-3943
- Producentens varenummer:
- SCTWA90N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 119A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 157nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 656W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.9mm | |
| Højde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 119A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCTWA90N65G2V-4 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 157nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 656W | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.9mm | ||
Højde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA90N65G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW90
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW35
- STMicroelectronics 1 Type N-Kanal 4 Ben SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 91 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTWA70N120G2V-4