STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 119 A 650 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA90N65G2V-4 Nej SCTWA90N65G2V-4
- RS-varenummer:
- 213-3945
- Producentens varenummer:
- SCTWA90N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 203,68
(ekskl. moms)
Kr. 254,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 203,68 |
| 5 - 9 | Kr. 198,29 |
| 10 - 24 | Kr. 193,28 |
| 25 + | Kr. 188,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 213-3945
- Producentens varenummer:
- SCTWA90N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 119A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 656W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 157nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Højde | 5.1mm | |
| Længde | 15.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 21.1 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 119A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SCTWA90N65G2V-4 | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 656W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 157nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Højde 5.1mm | ||
Længde 15.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 21.1 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 119 A 650 V HiP247-4, SCTWA90N65G2V-4 SCTWA90N65G2V-4
- STMicroelectronics N-Kanal 119 A 650 V HiP247, SCTW90 SCTW90N65G2V
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 650 V HiP247-4 SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A. 650 V HiP247-4, SCT SCT040W65G3-4
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 650 V HiP247-4, SCT SCT027W65G3-4AG
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 650 V HiP247-4, SCT SCT018W65G3-4AG
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A. 650 V HiP247-4, SCT SCT040W65G3-4AG
- STMicroelectronics N-Kanal 30 A. 650 V HiP247-4, SCT SCT055W65G3-4AG