STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 119 A 650 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA90N65G2V-4
- RS-varenummer:
- 213-3945
- Producentens varenummer:
- SCTWA90N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 213-3945
- Producentens varenummer:
- SCTWA90N65G2V-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 119A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SCTWA90N65G2V-4 | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 24mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 22V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 2.5V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 157nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 656W | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Længde | 15.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 21.1mm | |
| Højde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 119A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SCTWA90N65G2V-4 | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 24mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 22V | ||
Gennemgangsspænding Vf 2.5V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 157nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 656W | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Længde 15.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 21.1mm | ||
Højde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
High speed switching performance
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA90N65G2V-4
- STMicroelectronics N-Kanal 119 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW90
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 650 V Forbedring Hip-247, SCTW35
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 650 V Forbedring HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 91 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTWA70N120G2V-4
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTW