STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTW35 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 2.869,26

(ekskl. moms)

Kr. 3.586,56

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 840 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 95,642Kr. 2.869,26

*Vejledende pris

RS-varenummer:
201-0859
Producentens varenummer:
SCTW35N65G2V
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCTW35

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

45mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

240W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Portkildespænding maks.

22 V

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.15 mm

Længde

14.8mm

Højde

15.75mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics 650 V siliciumkarbid power MOSFET har en mærkestrøm på 45 A og drain til kildemodstand på 45 m Ohm. Den har lav modstand ved tænding pr. enhedsområde og meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Lav kapacitet

Relaterede links