STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTW35 Nej SCTW35N65G2V

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 101,73

(ekskl. moms)

Kr. 127,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 847 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 101,73
5 - 9Kr. 98,89
10 - 24Kr. 96,34
25 - 49Kr. 93,87
50 +Kr. 91,56

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
201-0860
Producentens varenummer:
SCTW35N65G2V
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SCTW35

Emballagetype

Hip-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

45mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

240W

Portkildespænding maks.

22 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

15.75mm

Længde

14.8mm

Bredde

5.15 mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics 650 V siliciumkarbid power MOSFET har en mærkestrøm på 45 A og drain til kildemodstand på 45 m Ohm. Den har lav modstand ved tænding pr. enhedsområde og meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Lav kapacitet

Relaterede links