STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Forbedring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V-4 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 2.860,65

(ekskl. moms)

Kr. 3.575,82

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 240 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 95,355Kr. 2.860,65

*Vejledende pris

RS-varenummer:
233-0472
Producentens varenummer:
SCTWA35N65G2V-4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCTWA35N65G2V-4

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

67mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Gennemgangsspænding Vf

3.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

22 V

Effektafsættelse maks. Pd

240W

Driftstemperatur maks.

200°C

Længde

20.1mm

Bredde

21.1 mm

Højde

5.1mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumcarbid MOSFET-enheden er udviklet ved hjælp af ST's Advanced og innovativ 2. Generations SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand pr. enhedsområde og en meget god skifteevne. Variationen af skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperaturen.

Meget hurtig og robust indbygget lysdiode

Lav arbejdsdygtighed

Kildesensorstift for øget effektivitet

Relaterede links