STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 119 A 650 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247, SCTW90 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 6.074,13

(ekskl. moms)

Kr. 7.592,67

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 202,471Kr. 6.074,13

*Vejledende pris

RS-varenummer:
201-0886
Producentens varenummer:
SCTW90N65G2V
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

119A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCTW90

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

24mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

18 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

157nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

2.5V

Effektafsættelse maks. Pd

565W

Driftstemperatur maks.

200°C

Bredde

5.15 mm

Højde

20.15mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

15.75mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics 650 V siliciumkarbid power MOSFET har en mærkestrøm på 119 A og drain-to-source modstand 18 m Ohm. Den har lav modstand ved tænding pr. enhedsområde og meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.

Meget høj funktion for samledetemperatur (TJ = 175 °C)

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Relaterede links