Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 81 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR104ADP Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 25.767,00

(ekskl. moms)

Kr. 32.208,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 28. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 8,589Kr. 25.767,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-7218
Producentens varenummer:
SiDR104ADP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

81A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiDR104ADP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

6.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.1nC

Effektafsættelse maks. Pd

100W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.15 mm

Længde

6.25mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 100 V (D-S) MOSFET har en meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM). Den er indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links